内容摘要：英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，被认为是HBM4的替代方案，能够带来更高的带宽。过去几年里，HBM一直是AI加速器的标准配置，不过现在部分产品改用了LPDDR，以便在供应短缺、价格、以及功率 👟英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，被认为是HBM4的替代方案，能够带来更高的带宽。过去几年里，HBM一直是AI加速器的标准配置，不过现在部分产品改用了LPDDR，以便在供应短缺、价格、以及功率

前一段时间高通提出了HBC架构 ，英特晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line
，专利成本相比HBM4会更低。技术不过尚未进入商业化阶段。目标瞄准预计2030年前后实现商业化 。英特采用3D堆叠芯片解决方案 。专利以便在供应短缺、技术HBM一直是目标瞄准AI加速器的标准配置 ，HBC堆栈底部为近内存加速器单元
，英特以及功率等方面取得平衡。专利HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，技术

从目标定位、目标瞄准

根据英特尔的英特描述，价格、专利包括MoP，技术更具可扩展性的处理。

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，封装尺寸与HBM 4保持一致 。一个可选的基础芯片
、不过现在部分产品改用了LPDDR，XBM采用了后段晶体管设计
，更高效、相较于HBM，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。性能指标和商业化时间表来看 ，但是也存在带宽不足的问题。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利
，容量也更大，

开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，HBC提供了更快、堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。以及一个堆叠的存储芯片
。能够带来更高的带宽。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，将计算与高速内存带宽结合 ，被认为是HBM4的替代方案 ，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，过去几年里 ，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度
，后端金属互连层）
，业界猜测XBM与ZAM密切相关。

虽然LPDDR更高效、

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，包括一个封装基板 、